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단일벽 탄소나노튜브(SWNT)는 금속성과 반도체성이 혼합되어 있어, 고순도 반도체성 SWNT를 대량으로 분리하는 것이 상용화에 중요한 과제입니다. 기존 팁 소니케이션 방식은 용매 손실, 오염, 높은 비용 및 대량 처리에 한계가 있었습니다. 본 기술은 이러한 문제를 해결하기 위해 배쓰 소니케이션을 활용한 반도체성 탄소나노튜브의 선택적 분리 방법을 제안합니다. 티오펜 고리 및 탄화수소 측쇄를 포함하는 폴리티오펜 유도체(P3DDT)를 분산제로 사용하여 SWNT와 결합시킵니다. 이때 금속성 SWNT는 응집 및 침전되고, 반도체성 SWNT는 용매에 분산된 상태를 유지하게 됩니다. 배쓰 소니케이션은 기존 방식 대비 분산액의 안정도를 높이고, 용매 손실 및 오염을 줄이며, 온도 조절이 용이하고, 저비용으로 대량 분리가 가능합니다. 이를 통해 반도체성 탄소나노튜브의 순도를 75% 이상으로 높여 트랜지스터, 센서, 태양전지 등 다양한 고성능 전자 소자의 상용화를 앞당길 수 있습니다.
| 기술명 | 배쓰 소니케이션을 이용한 반도체성 탄소나노튜브의 대량 선택적 분리 | ||
| 기관명 | 가천대학교 산학협력단 이화여자대학교 산학협력단 | ||
| 대표 연구자 | 김우재 | 공동연구자 | - |
| 출원번호 | 1020190018731 | 등록번호 | 1022343450000 |
| 권리구분 | 특허 | 출원일 | 2019.02.18. |
| 중요 키워드 | 폴리티오펜 유도체초음파 분리 기술용매 손실 감소대량 생산 효율탄소나노튜브 분산단일벽 탄소나노튜브전자소자 핵심기술배쓰 소니케이션SWNT 분리고순도 SWNTP3DDT 분산제나노소재 분리법차세대 반도체 소재SWNT 응용 분야반도체성 탄소나노튜브바이오/의료화학전기/전자기계/소재에너지/자원 | ||
| 1 | 기술이전 상담신청 |
| 2 | 연구자 미팅 |
| 3 | 기술이전 유형결정 |
| 4 | 계약서 작성 및 검토 |
| 5 | 계약 및 기술료 입금 |

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