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기존 페로브스카이트 소재는 높은 효율에도 불구하고 장기 안정성과 발광 효율에 한계가 있었습니다. 본 기술은 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 차원을 정밀하게 조절하여 이러한 문제를 해결합니다. 특정한 유기 양이온을 도입하여 필름의 구조적 안정성을 높이고, 광루미네선스 효율을 극대화합니다. 이 기술을 적용한 발광 디바이스는 현재까지 보고된 근적외선 LED 중 최고 수준인 8.8%의 외부 양자 효율과 80 Wsr-1m-2의 복사휘도를 달성했습니다. 또한, 태양 전지에서는 15.3%의 높은 전력 변환 효율을 보이면서 습기 및 열에 대한 장기 안정성을 획기적으로 개선했습니다. 이는 고효율 차세대 광전자 소자 및 안정적인 태양 전지 상용화에 크게 기여할 것입니다.
| 기술명 | 준-2 차원 페로브스카이트 필름, 이를 포함하는 발광 디바이스 및 태양 전지, 및 이의 제조 방법 | ||
| 기관명 | 이화여자대학교 산학협력단 | ||
| 대표 연구자 | 김동하 | 공동연구자 | - |
| 출원번호 | 1020190029977 | 등록번호 | 1019917930000 |
| 권리구분 | 특허 | 출원일 | 2019.03.15 |
| 중요 키워드 | 페로브스카이트 태양전지고효율 신소재재생 에너지박막 광전소자습기 안정성페로브스카이트광 루미네선스유기 무기 복합체차원 조절태양 전지준2차원 페로브스카이트페로브스카이트 LED발광 디바이스고안정성 재료근적외선 LED화학전기/전자에너지/자원 | ||
| 1 | 기술이전 상담신청 |
| 2 | 연구자 미팅 |
| 3 | 기술이전 유형결정 |
| 4 | 계약서 작성 및 검토 |
| 5 | 계약 및 기술료 입금 |

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