기술이전 상세 정보를 불러오는 중입니다...

차세대 비휘발성 메모리(ReRAM)는 고성능, 유연성, 투명성을 갖춘 활성 절연층이 필수적이지만 기존 재료는 한계가 있었습니다. 본 기술은 산화 그래핀(GO)과 질소, 황 등 비금속 원소로 도핑된 산화 그래핀 층을 교대로 적층하는 자기 조립 방식을 활용합니다. 이 그래핀 다층막을 활성 절연층으로 사용하여 고밀도, 저전력, 빠른 스위칭 속도를 가진 ReRAM 디바이스를 구현합니다. 이 디바이스는 10^5 이상의 높은 ON/OFF 비율과 10^4초 이상의 우수한 데이터 기억 유지 특성, 뛰어난 안정성 및 내구성을 자랑합니다. 특히 금속 산화물 없이도 우수한 성능을 보여, 투명하고 유연한 웨어러블 전자 기기 및 차세대 메모리 소자 시장에 새로운 가능성을 제시합니다.
| 기술명 | 그래핀 다층막을 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 디바이스, 및 그의 제조 방법 | ||
| 기관명 | 이화여자대학교 산학협력단 | ||
| 대표 연구자 | 김동하 |
| 공동연구자 | - |
| 출원번호 | 1020160065944 | 등록번호 | 1018224330000 |
| 권리구분 | 특허 | 출원일 | 2016.05.27. |
| 중요 키워드 | 산화 그래핀다층막크로스바 구조높은 ON/OFF 비율장기 기억비금속 도핑차세대 메모리유연 전자소자저항 변화 메모리저전력 메모리그래핀 비휘발성 메모리나노물질반도체 소자웨어러블 디바이스ReRAM전기/전자기계/소재 | ||
| 1 | 기술이전 상담신청 |
| 2 | 연구자 미팅 |
| 3 | 기술이전 유형결정 |
| 4 | 계약서 작성 및 검토 |
| 5 | 계약 및 기술료 입금 |

보유 기술 로딩 중...
인기있는 기술 로딩 중...