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기존 페로브스카이트의 낮은 LED 발광 효율과 안정성 문제를 해결하고자 합니다. 스페이서 첨가제를 도입한 저차원 페로브스카이트를 활용하여 결정 구조를 제어하고, 특히 유기암모늄 양이온 리간드의 도핑량을 조절합니다. 이를 통해 480nm에서 500nm까지의 청색 발광 파장을 정밀하게 조절하며, (110) 배향성을 가진 균일한 박막을 용액 공정으로 저비용 고효율로 제작할 수 있습니다. 이 기술은 최대 93%의 높은 광 발광 양자 효율(PLQY)과 우수한 색순도를 제공하여, 차세대 전자, 의료, 통신 기기 등의 청색 발광 다이오드(LED) 소자 개발에 크게 기여할 것입니다.
| 기술명 | 페로브스카이트 기반 청색 발광 디바이스 및 이의 제조 방법 | ||
| 기관명 | 이화여자대학교 산학협력단 | ||
| 대표 연구자 | |||
| 김동하 |
| 공동연구자 | - |
| 출원번호 | 1020190176214 | 등록번호 | 1022933370000 |
| 권리구분 | 특허 | 출원일 | 2019.12.27. |
| 중요 키워드 | PeLED알킬 암모늄 도핑발광 다이오드발광 효율 극대화스페이서 첨가제저차원 페로브스카이트페로브스카이트광 발광 양자 수율용액 공정 기술차세대 디스플레이청색 발광 디바이스고색재현성 디스플레이디스플레이 소재110 배향성 제어유기 발광 다이오드화학정보통신전기/전자기계/소재 | ||
| 1 | 기술이전 상담신청 |
| 2 | 연구자 미팅 |
| 3 | 기술이전 유형결정 |
| 4 | 계약서 작성 및 검토 |
| 5 | 계약 및 기술료 입금 |

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