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정보의 장기간 저장을 위한 차세대 메모리 기술 개발이 중요하며, 기존 ReRAM은 성능 및 제조 공정의 한계가 있었습니다. 본 기술은 금속 코어와 그래핀 옥사이드(GO) 쉘로 이루어진 복합 나노구조체를 활용하여 전하 트랩 및 유전체층 역할을 동시에 수행합니다. 이 복합 나노구조체 층은 단일 스텝 용액 공정으로 제조되어 생산 시간 및 비용 절감과 환경 친화적인 장점을 가집니다. 개발된 비휘발성 저항 변화 메모리(ReRAM) 소자는 뛰어난 이중 안정성 전기적 스위칭 거동, 1000배 이상의 높은 ON/OFF 비율, -2.5V의 낮은 작동 전압을 나타냅니다. 안정적인 내구성과 기억 특성을 갖춘 간단한 구조의 고성능 비휘발성 메모리 구현이 가능합니다.
| 기술명 | 금속-go 코어-쉘 복합 나노구조체, 이를 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 메모리 소자의 제조 방법 | ||
| 기관명 | 이화여자대학교 산학협력단 | ||
| 대표 연구자 | 김동하 | 공동연구자 | - |
| 출원번호 | 1020160112112 | 등록번호 | 1018442380000 |
| 권리구분 | 특허 | 출원일 | 2016.08.31. |
| 중요 키워드 | AuNS@GO메모리제조방법반도체소자AI반도체그래핀옥사이드저전력메모리용액공정크로스바구조나노입자비휘발성저항변화메모리차세대메모리ReRAM비휘발성메모리금속GO코어쉘나노구조체전하트랩유전체정보통신전기/전자기계/소재 | ||
| 1 | 기술이전 상담신청 |
| 2 | 연구자 미팅 |
| 3 | 기술이전 유형결정 |
| 4 | 계약서 작성 및 검토 |
| 5 | 계약 및 기술료 입금 |

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