포토리소그래피 활용 페로브스카이트 광전 디바이스 개발

기존 페로브스카이트 물질은 용액에 취약하여 정밀한 대면적 미세 패턴 형성에 어려움이 있었습니다. 본 기술은 소수성 층 위에 포토 리소그래피로 패턴화된 친수성 층을 형성하고, 그 위에 페로브스카이트 물질을 선택적으로 증착하여 이 문제를 해결합니다. 특수하게 제어된 무기 산화물 층과 rf-스퍼터링, 메탈 마스크를 활용하여 10 µm 내지 200 µm의 미세 선폭을 갖는 대면적 패턴을 구현할 수 있습니다. 이를 통해 태양전지, 광 검출기, LED 등 다양한 페로브스카이트 광전 디바이스의 안정성과 성능을 획기적으로 개선하며 상업화 가능성을 높입니다.