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기존 태양전지는 높은 제조 비용과 낮은 효율 문제가 있으며, 특히 페로브스카이트 태양전지의 전자 수송층은 낮은 결정성으로 전자-정공 재결합이 빈번하여 고효율 달성에 어려움이 있었습니다. 본 기술은 단결정 기판 위에 에피택시 성장된 음극층과 전자 수송층을 포함하는 광전 디바이스를 제안합니다. 펄스 레이저 증착법을 활용하여 음극층과 전자 수송층의 불순물 함량을 정밀하게 조절함으로써, 단결정 기판과의 격자 정합을 이루고 전자-정공 재결합 현상을 최소화합니다. 이를 통해 태양전지 등 광전 디바이스의 효율을 크게 향상시킬 수 있으며, 특히 페로브스카이트 태양전지의 성능을 극대화할 수 있습니다. 본 기술은 고효율, 저비용 차세대 태양전지 개발에 기여할 것입니다.
| 기술명 | 에피택시 성장층을 포함하는 광전 디바이스 및 이의 제조방법 | ||
| 기관명 | 이화여자대학교 산학협력단 | ||
| 대표 연구자 | 조윌렴 | 공동연구자 | - |
| 출원번호 | 1020190177942 | 등록번호 | 1022129120000 |
| 권리구분 | 특허 | 출원일 | 2019.12.30. |
| 중요 키워드 | 페로브스카이트 태양전지저비용 고효율차세대 태양전지불순물 함량 조절태양광 발전펄스 레이저 증착광전 디바이스신재생 에너지단결정 기판고효율 태양전지격자 정합 기술재결합 최소화음극층 전도도전자 수송층에피택시 성장전기/전자에너지/자원 | ||
| 1 | 기술이전 상담신청 |
| 2 | 연구자 미팅 |
| 3 | 기술이전 유형결정 |
| 4 | 계약서 작성 및 검토 |
| 5 | 계약 및 기술료 입금 |

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