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기존 전자 디바이스의 소형화 및 효율 한계를 극복하기 위해 강유전체와 2차원 반도체 물질을 결합한 저항 스위칭 소자가 개발되었습니다. 이 기술은 강유전체 층의 분극 현상과 2차원 반도체 층의 전자-정공 분리 현상을 결합하여, 분극-의존 계면 커플링 효과를 통해 저항 스위칭 현상을 유도합니다. 특히 PbTiO3 박막과 MoS2 또는 WSe2 같은 2D 반도체 시트를 통합함으로써 전기적 성능과 광전 효율을 크게 향상시킵니다. 이는 외부 전압 인가 부담을 줄이고 효율 안정성을 높여, 광-감응 멤리스터, 광전자공학 저항 스위칭 메모리, 비-PN 접합 태양 전지 등 차세대 소형 광전 디바이스 및 고성능 메모리 개발에 새로운 가능성을 제시합니다.
| 기술명 | 저항 스위칭성 소자 및 상기 소자를 포함하는 광전 디바이스 | ||
| 기관명 | 이화여자대학교 산학협력단 | ||
| 대표 연구자 | 조윌렴 | 공동연구자 | - |
| 출원번호 | 1020180164591 | 등록번호 | 1021028450000 |
| 권리구분 | 특허 | 출원일 | 2018.12.18 |
| 중요 키워드 | 헤테로접합WSe2분극제어광전자공학2차원 반도체전자정공분리MoS2강유전체저항 스위칭 소자광전 디바이스유연소자비휘발성메모리차세대반도체태양전지멤리스터정보통신전기/전자 | ||
| 1 | 기술이전 상담신청 |
| 2 | 연구자 미팅 |
| 3 | 기술이전 유형결정 |
| 4 | 계약서 작성 및 검토 |
| 5 | 계약 및 기술료 입금 |

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